学时分配：40个学时
第一章 CMOS工艺 （4学时）
了解CMOS工艺流程，掌握形成NMOS与PMOS的制造流程，了解Contact、Via、金属互联、Pad等部分的作用。了解CMOS工艺与电路设计的基本关系。
第二章 CMOS器件物理（4学时）
2.1 基本知识
2.2 MOS管IV曲线及特性
理解IV曲线基本性质，阈值电压，沟道电流方程
2.3 影响晶体管特性的二阶特性
理解Body effect，沟道长度调制效应的影响机制
2.4 MOS管器件模型
了解MOS器件的寄生电容特性，掌握小信号模型，跨导方程，了解SPICE模型
第三章 单级放大电路（6学时）
3.1 基本概念
3.2 共源放大电路
掌握电阻负载、二极管负载、电流源负载、偏置在欧姆区的晶体管负载的运用方法，理解Source degeneration的作用及优缺点。
3.3 源极跟随电路
理解源级跟随电路的基本结构及性能。
3.4 共栅电路
了解基本结构。
3.5 Cascode电路
了解Cascode电路的基本结构及其优缺点。
第四章 收发信机结构（6学时）
4.1 基本知识
4.2 接收机结构
掌握基本外差式接收机、现代外差式接收机、直接混频接收机、镜像抑制接收机、低中频接收机的基本结构及作用。
4.3 发射机结构
了解发射机的基本要求及结构
第五章 噪声和低噪声放大器（6学时）
5.1 噪声与随机过程
理解噪声的功率谱，及热噪声的表达形式，了解噪声通过线性系统的特性，掌握CMOS器件噪声的来源及特性，掌握噪声的表达方法，包括输入端口参考噪声及噪声系数。
5.2 低噪声放大器的基本性能指标
5.3 LNA输入匹配问题
5.4 LNA的基本结构
了解共源组态LNA，了解电感负载及引入了电阻反馈的共源组态，掌握形成50Ω匹配的条件，掌握共栅组态电路结构及输入匹配方式，掌握各组态LNA噪声系数计算方法，掌握LNA在CMOS电路中的设计流程。
第六章 混频器（6学时）
6.1 基本指标
6.2 无源混频器
掌握无源混频器的基本结构、原理、增益、噪声系数的计算方式，理解单平衡、双平衡混频器及Sampling mixer的基本原理。理解输入阻抗的计算方式。
6.3 有源混频器
掌握有源混频器的基本结构，理解其提高增益的方法及计算过程，了解其噪声系数计算方法。
第七章 无源器件（3学时）
7.1 电感
了解RF CMOS中电感的基本形式，了解电感方程，了解电感模型及影响电感性能的主要因素，
7.2 变压器
了解RF CMOS中变压器的基本形式
7.3 传输线
7.4 恒定电容
第八章 功率放大器（5学时）
8.1 基本指标
8.2 基本功放类型
8.3 高效率功放类型
了解E类、F类高效率功放的基本电路结构
8.4 Cascode输出级
8.5 先进发射机结构
了解基本的线性化技术、极坐标发射机、Outphasing发射机、Doherty功放
8.6 RF CMOS功放设计实例