习题一
(1)
1—1 设计一个并联谐振回路,已知谐振频率,要求对990kHz的干扰信号有足够的抑制(
)。设信号源内阻
,负载电阻
。
解:
取 则
设
讨论:1)L、C不合理,真正的LC回路达不到的抑制比;
2)可采用其它形式的谐振回路。
1—2 有一个并联谐振回路工作于中波频段535kHz—1605kHz。现有两个可变电容,一个变化范围为12pF—100pF,另一个为15 pF—450pF。试问:
(1)应采用哪种可变电容?为什么?
(2)回路电感L=?
(3)为保证足够的频率刻度精度,实际的并联谐振回路应如何设计?
解:
则可变电容的选择应满足
电容1:
电容2:
选择15pF—450pF的可变电容是恰当的,同时考虑到频率在535kHz—1605kHz波段内变化,因此选择一电容与可变电容15pF—450pF并联以满足
选
l—3 串联回路如习图1—1所示,将11端短路,C调到100PF时谐振,电容C两端的电压为10V,如11端串接入阻抗乙,已知
,此时C调到200pF时重新谐振,C两端电压变成2.5V。求电感L,回路空载品质因数
及
。
解:1)11端短路时,谐振
2)11端串接,L,
均不变
接入后,
,因此
1—4 如习图1—2所示,已知,
,C1=C2=20pF,
,
,
,
,
。试计算回路谐振频率、谐振电阻
、有载
值和通频带。
解:
并联谐振回路的总电容
1—5已知习图1—3中,,
,
,
,
,要求
条件下输入匹配。试求
和
。
解:
输入匹配
解得
l—6 晶体管低频小信号放大器与高频小信号放大器的分析方法有什么不同?高频小信号放大器能否用静态特性曲线来分析,为什么?
解:晶体管低频小信号放大器采用的分析方法是折线分析法,在小信号条件下, 叠加在BJT工作点上的交变电流电压之间的关系近似为线性关系。而高频小信号放大器,由于信号小,也可以认为它工作在晶体管的线性范围内。可用“线性四端网络”来等效,对线性网络的分析方法都适用于分析高频小信号放大器。为分析方便起见,低频小信号放大器采用h参数进行分析,高频小信号放大器采用y参数进行分析。
高频小信号放大器不能用静态特性曲线来分析。因为晶体管特性曲线是在伏安平面上作出的反映晶体管直流电流电压的关系。如果电流电压以高频率变化,三极管内PN结的电容应必须考虑,电流电压关系不能在伏安平面上画出。