这是《半导体物理》的实验教学部分。" 半导体物理实验 " 包括了六个实验， MOS结构高频C－V特性测试、MOS结构准静态C－V特性测试、MOS结构中可动电荷测试、霍尔效应、椭偏法测SiO2 层的厚度及折射率、及参数测试以及高频光电导衰减法测量Si单晶少子寿命。每项"实验资料"由实验步骤、实验目的、实验内容、实验原理和实验仪器五个部分组成。请点击电子书中的"实验资料"进入学习。